1 月 27 日消息，Micron 美光今日宣布啟動位于新加坡的 NAND 閃存新晶圓廠建設工程。這座設施是新加坡首個雙層晶圓廠，未來十年總投資約 240 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 1671.65 億元人民幣），預計 2028 年下半年投產。

▲ 美光新加坡現(xiàn)有 NAND 閃存制造設施

新加坡本就是美光的主要 NAND 生產基地之一，此次新建的晶圓廠潔凈室空間達到 70 萬平方英尺（約 65032 平方米），將與早前動工的 HBM 先進封裝工廠一道滿足 AI 產業(yè)快速發(fā)展帶來的存儲需求。

【來源：IT之家】